|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 12 van 14 gevonden artikelen
| Titel: |
Study on the influence of γ-ray total dose radiation effect on the electrical properties of the uniaxial strained Si nanometer NMOSFET |
| Auteur: |
Hao, Minru Hu, Huiyong Wang, Bin Liao, Chenguang Kang, Haiyan Su, Han |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 133 (2017) nr. C pagina's 8 p. |
| Jaar: |
2017 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 12 van 14 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |