|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 11 van 14 gevonden artikelen
| Titel: |
Study on the electrical degradation of AlGaN/GaN MIS-HEMTs induced by residual stress of SiNx passivation |
| Auteur: |
Bai, Zhiyuan Du, Jiangfeng Liu, Yong Xin, Qi Liu, Yang Yu, Qi |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 133 (2017) nr. C pagina's 7 p. |
| Jaar: |
2017 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 11 van 14 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |