|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 24 van 30 gevonden artikelen
| Titel: |
Strain effect on mobility in nanowire MOSFETs down to 10nm width: Geometrical effects and piezoresistive model |
| Auteur: |
Pelloux-Prayer, J. Cassé, M. Triozon, F. Barraud, S. Niquet, Y.-M. Rouvière, J.-L. Faynot, O. Reimbold, G. |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 125 (2016) nr. C pagina's 7 p. |
| Jaar: |
2016 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 24 van 30 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |