|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 12 van 30 gevonden artikelen
| Titel: |
Effect of barrier recess on transport and electrostatic interface properties of GaN-based normally-off and normally-on metal oxide semiconductor heterostructure field effect transistors |
| Auteur: |
Capriotti, M. Bahat Treidel, E. Fleury, C. Bethge, O. Ostermaier, C. Rigato, M. Lancaster, S.L.C. Brunner, F. Detz, H. Hilt, O. Würfl, J. Pogany, D. Strasser, G. |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 125 (2016) nr. C pagina's 7 p. |
| Jaar: |
2016 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 12 van 30 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |