|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 7 van 12 gevonden artikelen
| Titel: |
Modeling and simulation of low power ferroelectric non-volatile memory tunnel field effect transistors using silicon-doped hafnium oxide as gate dielectric |
| Auteur: |
Saeidi, A. Biswas, A. Ionescu, Adrian M. |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 124 (2016) nr. C pagina's 8 p. |
| Jaar: |
2016 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 7 van 12 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |