|
| << vorige |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 25 van 25 gevonden artikelen
| Titel: |
Ultra-thin 20nm-PECVD-Si3N4 surface passivation in T-shaped gate InAlAs/InGaAs InP-based HEMTs and its impact on DC and RF performance |
| Auteur: |
Ding, Peng Chen, Chen Ding, Wuchang Yang, Feng Su, Yongbo Wang, Dahai Jin, Zhi |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 123 (2016) nr. C pagina's 5 p. |
| Jaar: |
2016 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 25 van 25 gevonden artikelen
| << vorige |