|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 8 van 13 gevonden artikelen
| Titel: |
High quality PECVD SiO2 process for recessed MOS-gate of AlGaN/GaN-on-Si metal–oxide–semiconductor heterostructure field-effect transistors |
| Auteur: |
Lee, Jae-Gil Kim, Hyun-Seop Seo, Kwang-Seok Cho, Chun-Hyung Cha, Ho-Young |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 122 (2016) nr. C pagina's 5 p. |
| Jaar: |
2016 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 8 van 13 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |