|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 3 van 13 gevonden artikelen
| Titel: |
Characterization of interface defects in ALD Al2O3/p-GaSb MOS capacitors using admittance measurements in range from kHz to GHz |
| Auteur: |
Gu, Siyuan Min, Jie Taur, Yuan Asbeck, Peter M. |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 118 (2016) nr. C pagina's 8 p. |
| Jaar: |
2016 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 3 van 13 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |