|
Fabrication and electrical characterizations of SGOI tunnel FETs with gate length down to 50nm |
|
|
|
Titel: |
Fabrication and electrical characterizations of SGOI tunnel FETs with gate length down to 50nm |
Auteur: |
Le Royer, C. Villalon, A. Hutin, L. Martinie, S. Nguyen, P. Barraud, S. Glowacki, F. Allain, F. Bernier, N. Cristoloveanu, S. Vinet, M. |
Verschenen in: |
Solid-state electronics |
Paginering: |
Jaargang 115 (2016) nr. PB pagina's 6 p. |
Jaar: |
2016 |
Inhoud: |
|
Uitgever: |
Elsevier Ltd |
Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
|
|
|
|