|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 19 van 33 gevonden artikelen
| Titel: |
Gradual bipolar resistive switching in Ni/Si3N4/n +-Si resistive-switching memory device for high-density integration and low-power applications |
| Auteur: |
Kim, Sungjun Jung, Sunghun Kim, Min-Hwi Cho, Seongjae Park, Byung-Gook |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 114 (2015) nr. C pagina's 4 p. |
| Jaar: |
2015 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 19 van 33 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |