|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 18 van 33 gevonden artikelen
| Titel: |
Fowler–Nordheim electron tunneling mechanism in Ni/SiO2/n-4H SiC MOS devices |
| Auteur: |
Kodigala, Subba Ramaiah Chattopadhyay, S. Overton, C. Ardoin, I. |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 114 (2015) nr. C pagina's 7 p. |
| Jaar: |
2015 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 18 van 33 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |