|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 37 van 40 gevonden artikelen
| Titel: |
Switching characteristics in Cu:SiO2 by chemical soak methods for resistive random access memory (ReRAM) |
| Auteur: |
Chin, Fun-Tat Lin, Yu-Hsien Yang, Wen-Luh Liao, Chin-Hsuan Lin, Li-Min Hsiao, Yu-Ping Chao, Tien-Sheng |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 103 (2015) nr. C pagina's 5 p. |
| Jaar: |
2015 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 37 van 40 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |