|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 21 van 45 gevonden artikelen
| Titel: |
Influence of post fabrication annealing on device performance of InAlN/GaN high electron mobility transistors |
| Auteur: |
Luo, Xin Cui, Peng Linewih, Handoko Cheong, Kuan Yew Xu, Mingsheng Chen, Siheng Wang, Liu Sun, Jiuji Dai, Jiacheng Xu, Xiangang Han, Jisheng |
| Verschenen in: |
Journal of physics and chemistry of solids |
| Paginering: | Jaargang 187 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2024 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 21 van 45 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |