|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 6 van 219 gevonden artikelen
| Titel: |
AlGaN/GaN MOSHFET power switching transistor with embedded fast recovery diode |
| Auteur: |
Lee, Jung-Yeon Park, Bong-Ryeol Kim, Hyungtak Kim, Jaehan Cha, Ho-Young |
| Verschenen in: |
Electronic materials letters |
| Paginering: | Jaargang 10 (2014) nr. 6 pagina's 1115-1120 |
| Jaar: |
2014 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
The Korean Institute of Metals and Materials, Springer |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 6 van 219 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |