|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 8 van 47 gevonden artikelen
| Titel: |
Barrier mechanism of Pt/Ta and Pt/Ti layers for SrTiO3 thin film capacitors on Si |
| Auteur: |
Takemura, Koichi Sakuma, Toshlyukl Matsubara, Shogo Yamamichi, Shintaro Yamaguchi, Hiromu Miyasaka, Yoichi |
| Verschenen in: |
Integrated ferroelectrics |
| Paginering: | Jaargang 4 (1994) nr. 4 pagina's 305-313 |
| Jaar: |
1994-06-01 |
| Inhoud: |
The barrier effect of Pt/Ta and Pt/Ti has been investigated, when used as bottom electrodes for SrTiO3 thin film capacitors on Si. The Pt/Ta/Si stacks were more stable than the Pt/Ti/Si, both in vacuum and in oxygen annealing. Though the Pt/Ta bilayer was suitable for the SrTiO3 deposition at 400d`C, its resistivity became slightly higher after the deposition at 600d`C, due to Ta layer oxidation during the SrTiO3 deposition. This would result in a contact resistance problem for high density dynamic random access memory application. |
| Uitgever: |
Taylor & Francis |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 8 van 47 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |