|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 8 van 25 gevonden artikelen
| Titel: |
Electrode-dielectric interface in thin-film DRAMs for ULSI |
| Auteur: |
Scott, J. F. |
| Verschenen in: |
Integrated ferroelectrics |
| Paginering: | Jaargang 5 (1994) nr. 2 pagina's 103-106 |
| Jaar: |
1994-10-01 |
| Inhoud: |
Mechanisms of leakage currents and d.c. breakdown are reviewed for several high-dielectric films in prototype use for ULSI DRAMs, including barium strontium titanate, lead zirconate titanate, and proprietary materials, with special emphasis upon electrode interface phenomena. The early theory of Von Hippel is reviewed, and attention is paid to the modified boundary conditions to the thermal breakdown equation given below for the finite dimensions of capacitors in real ULSI DRAMs (EB is the breakdown field): [image omitted] |
| Uitgever: |
Taylor & Francis |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 8 van 25 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |