|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 13 van 21 gevonden artikelen
| Titel: |
Physical model for the evolution of the defect system of silicon carbide with allowance for the internal elastic stress fields during implantation of Al+ and N+ and subsequent annealing |
| Auteur: |
Kulikov, D. V. Trushin, Yu. V. Rybin, P. V. Kharlamov, V. S. |
| Verschenen in: |
Technical physics |
| Paginering: | Jaargang 44 (1999) nr. 10 pagina's 1168-1174 |
| Jaar: |
1999 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Nauka/Interperiodica, Moscow |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 13 van 21 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |