|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 30 van 60 gevonden artikelen
| Titel: |
Modeling the effect of thin gate insulators (SiO2, SiN, Al2O3 and HfO2) on AlGaN/GaN HEMT forward characteristics grown on Si, sapphire and SiC |
| Auteur: |
Pérez-Tomás, A. Fontserè, A. Jennings, M.R. Gammon, P.M. |
| Verschenen in: |
Materials science in semiconductor processing |
| Paginering: | Jaargang 16 (2013) nr. 5 pagina's 10 p. |
| Jaar: |
2013 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 30 van 60 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |