|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 19 van 21 gevonden artikelen
| Titel: |
Total ionizing dose effect in 0.2μm PDSOI NMOSFETs with shallow trench isolation |
| Auteur: |
Peng, Chao Hu, Zhiyuan Zhang, Zhengxuan Huang, Huixiang Ning, Bingxu Bi, Dawei |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 54 (2014) nr. 4 pagina's 8 p. |
| Jaar: |
2014 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 19 van 21 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |