|
| volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 1 van 56 gevonden artikelen
| Titel: |
An atomic force microscopy study of a temperature dependent morphology transition of GaN grown on sapphire by MOCVD |
| Auteur: |
de Theije, F.K. Zauner, A.R.A. Hageman, P.R. van Enckevort, W.J.P. Larsen, P.K. |
| Verschenen in: |
Journal of crystal growth |
| Paginering: | Jaargang 197 (1999) nr. 1-2 pagina's 11 p. |
| Jaar: |
1999 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Science B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 1 van 56 gevonden artikelen
| volgende >> |