|
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
8 gevonden resultaten
| nr | titel | auteur | tijdschrift | jaar | jaarg. | afl. | pagina('s) | type |
| 1 | Annealing and doping effects in layered In2Se3 compounds |
Fotsing, J. |
1988 |
1 | 2 |
p. 139-145 7 p. |
artikel |
|
| 2 | Characterization of GaAs1−y Sb y grown by molecular beam epitaxy |
Li, A.Z. |
1988 |
1 | 2 |
p. 203-211 9 p. |
artikel |
|
| 3 | Fast ion conductors: future trends |
Tuller, Harry L. |
1988 |
1 | 2 |
p. 171-191 21 p. |
artikel |
|
| 4 | Intercalation studies in bismuth selenide |
Paraskevopoulos, K. |
1988 |
1 | 2 |
p. 147-154 8 p. |
artikel |
|
| 5 | Reactions of thin molybdenum films on silicon induced by argon and xenon irradiation |
Wen-Lian Lin, |
1988 |
1 | 2 |
p. 165-170 6 p. |
artikel |
|
| 6 | Simple model of lattice dynamics in intercalated layered materials |
Sekine, T. |
1988 |
1 | 2 |
p. 155-159 5 p. |
artikel |
|
| 7 | The anisotropic current-voltage (I-V) characteristics of Bi2Sr2CaCu2Oy single crystals |
Wang, J.H. |
1988 |
1 | 2 |
p. 161-164 4 p. |
artikel |
|
| 8 | The influence of ionic radii on the incorporation of trivalent dopants into BaTiO3 |
Xue, L.A. |
1988 |
1 | 2 |
p. 193-201 9 p. |
artikel |
8 gevonden resultaten