|
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
6 gevonden resultaten
| nr | titel | auteur | tijdschrift | jaar | jaarg. | afl. | pagina('s) | type |
| 1 | A systematic modeling theory for solid state devices |
Lindholm, F.A. |
1964 |
7 | 11 |
p. 771-783 13 p. |
artikel |
|
| 2 | Heavy doped n-type single crystal epitaxial layers of gallium arsenide |
Williams, Forrest V. |
1964 |
7 | 11 |
p. 833-834 2 p. |
artikel |
|
| 3 | On the variation of the lifetime of minority carriers in a junction transistor with the level of injection |
Daw, A.N. |
1964 |
7 | 11 |
p. 799-804 6 p. |
artikel |
|
| 4 | Permanent degradation of GaAs tunnel diodes |
Gold, Robert D. |
1964 |
7 | 11 |
p. 811-821 11 p. |
artikel |
|
| 5 | Reverse recovery time measurements of epitaxial silicon p-n junctions at low temperatures |
Fink, H.J. |
1964 |
7 | 11 |
p. 823-831 9 p. |
artikel |
|
| 6 | Switching properties of thin Nio films |
Gibbons, J.F. |
1964 |
7 | 11 |
p. 785-790 6 p. |
artikel |
6 gevonden resultaten