Digitale Bibliotheek
Sluiten Bladeren door artikelen uit een tijdschrift
     Tijdschrift beschrijving
       Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
         Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
                                       Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
 
                             14 gevonden resultaten
nr titel auteur tijdschrift jaar jaarg. afl. pagina('s) type
1 Ambient temperature characteristics of Schottky contacts on 4H–SiC aged in air at 350°C Adedeji, Adetayo V.
2010
54 7 p. 736-740
5 p.
artikel
2 Characterization of flatband voltage roll-off and roll-up behavior in La2O3/silicate gate dielectric Kakushima, K.
2010
54 7 p. 720-723
4 p.
artikel
3 Editorial Board 2010
54 7 p. IFC-
1 p.
artikel
4 Effects of fluorine incorporation on the properties of Ge p-MOS capacitors with HfTiON dielectric Li, C.X.
2010
54 7 p. 675-679
5 p.
artikel
5 Effects of thermal annealing on structure, morphology and electrical properties of F16CuPc/α6T heterojunction thin films Ye, Rongbin
2010
54 7 p. 710-714
5 p.
artikel
6 Extracting the Schottky barrier height from axial contacts to semiconductor nanowires Sarpatwari, K.
2010
54 7 p. 689-695
7 p.
artikel
7 Formation of 30-V power DMOSFET’s by implementing p-counter-doped region within n-type drift layer Juang, Miin-Horng
2010
54 7 p. 724-727
4 p.
artikel
8 High voltage REBULF LDMOS with N+ buried layer Duan, Baoxing
2010
54 7 p. 685-688
4 p.
artikel
9 Interface and electrical properties of La-silicate for direct contact of high-k with silicon Kakushima, K.
2010
54 7 p. 715-719
5 p.
artikel
10 Large-signal model for AlGaN/GaN HEMTs suitable for RF switching-mode power amplifiers design Jarndal, Anwar
2010
54 7 p. 696-700
5 p.
artikel
11 Low-resistivity Ni/Pt Ohmic contacts to p-type N-doped ZnO Lu, Y.F.
2010
54 7 p. 732-735
4 p.
artikel
12 Ni–Au contacts to p-type GaN – Structure and properties Smalc-Koziorowska, Julita
2010
54 7 p. 701-709
9 p.
artikel
13 On the piezoelectric coupling constant of epitaxial Mg-doped GaN Xu, X.
2010
54 7 p. 680-684
5 p.
artikel
14 The direct evidence of substrate potential propagation in a gate-grounded NMOS Yang, Dao-Hong
2010
54 7 p. 728-731
4 p.
artikel
                             14 gevonden resultaten
 
 Koninklijke Bibliotheek - Nationale Bibliotheek van Nederland