Digitale Bibliotheek
Sluiten Bladeren door artikelen uit een tijdschrift
     Tijdschrift beschrijving
       Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
         Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
                                       Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
 
                             15 gevonden resultaten
nr titel auteur tijdschrift jaar jaarg. afl. pagina('s) type
1 A long wavelength avalanche photodetector for optical communications Chakrabarti, P.
1989
32 7 p. 521-524
4 p.
artikel
2 An approximate solution of Poisson's equation for semiconductor device modeling De, S.S.
1989
32 7 p. 517-519
3 p.
artikel
3 A theoretical derivation of the log-normal distribution of time-dependent dielectric breakdown in thin oxides Yaw, Yuh
1989
32 7 p. 541-546
6 p.
artikel
4 Correction for errors in the profile of a uniformly doped semiconductor due to voltage-independent shunt capacitance Blenner, Herbert D.
1989
32 7 p. 591-
1 p.
artikel
5 C-V curves for an amorphous/crystalline silicon heterojunction: Calculations at the static limit Rubinelli, F.
1989
32 7 p. 547-554
8 p.
artikel
6 Editorial — Software survey section 1989
32 7 p. III-V
nvt p.
artikel
7 Equivalent circuits for recombination-generation processes in semiconductors: A unified approach Landsberg, P.T.
1989
32 7 p. 525-534
10 p.
artikel
8 Erratum 1989
32 7 p. I-
1 p.
artikel
9 Low current 1-D model for SOI structures—Numerical analysis by a fixed function integration method (fixfun) Van de Wiele, F.
1989
32 7 p. 567-576
10 p.
artikel
10 780 nm GaAlAs distributed feedback lasers Takigawa, Shinichi
1989
32 7 p. 577-581
5 p.
artikel
11 On the theory of carrier number fluctuations in MOS devices Ghibaudo, Gerard
1989
32 7 p. 563-565
3 p.
artikel
12 Plasma processing effects on O2-HCl grown Si-SiO2 structures Kassabov, J.
1989
32 7 p. 535-540
6 p.
artikel
13 Special issue on material and process characterization for semiconductor device simulation 1989
32 7 p. i-
1 p.
artikel
14 Theory of conduction in weakly inverted MOSFETs: A new model for the conductance of an inhomogeneous channel Rawlings, K.J.
1989
32 7 p. 555-562
8 p.
artikel
15 Two- and three-dimensional process simulator, DOAP, with a new interfacial flux model Ushio, Shintaro
1989
32 7 p. 583-589
7 p.
artikel
                             15 gevonden resultaten
 
 Koninklijke Bibliotheek - Nationale Bibliotheek van Nederland