Digitale Bibliotheek
Sluiten Bladeren door artikelen uit een tijdschrift
     Tijdschrift beschrijving
       Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
         Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
                                       Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
 
                             15 gevonden resultaten
nr titel auteur tijdschrift jaar jaarg. afl. pagina('s) type
1 A characterization model for ramp-voltage-stressed I-V characteristics of thin thermal oxides grown on silicon substrate Chiou-Feng Chen,
1986
29 10 p. 1059-1068
10 p.
artikel
2 Analysis of capacitance and transconductance frequency dispersions in MESFETs for surface characterization Graffeuil, J.
1986
29 10 p. 1087-1097
11 p.
artikel
3 Correlations between CMOS latch-up characteristics and substrate structure parameters Ming-Jer Chen,
1986
29 10 p. 1079-1086
8 p.
artikel
4 Editorial - Software survey section 1986
29 10 p. I-III
nvt p.
artikel
5 Effects of high-field stressing on the channel frequency-response of MOSFETs Chow, P.D.
1986
29 10 p. 1005-1014
10 p.
artikel
6 High level boundary conditions in the space-charge region of a PN junction Fortini, A.
1986
29 10 p. 1107-1108
2 p.
artikel
7 Negative-resistance field-effect transistor grown by organometallic chemical vapor deposition Kastalsky, A.
1986
29 10 p. 1073-1077
5 p.
artikel
8 Planar termination for high-voltage p-n junctions Georgescu, S.
1986
29 10 p. 1035-1039
5 p.
artikel
9 Shot noise in solid state diodes van der Ziel, Alder
1986
29 10 p. 1069-1071
3 p.
artikel
10 Shunt resistance and soft reverse characteristics of silicon diffused-junction solar cells Lal, R.
1986
29 10 p. 1015-1023
9 p.
artikel
11 Simplified three-dimensional computer simulation formulae for film thickness distribution in the LPCVD process Ji-Tao Wang,
1986
29 10 p. 999-1004
6 p.
artikel
12 Simulation of the accumulation-punchthrough mode in depletion MOSFETs Tarasewicz, S.W.
1986
29 10 p. 1025-1033
9 p.
artikel
13 The effect of channel hot electron stress on a.c. device characteristics of MOSFETs Kalnitsky, A.
1986
29 10 p. 1053-1057
5 p.
artikel
14 The effect of subband quantization in the 2-D electron gas on thermionic current and heterojunction capacitance in an n-Al x Ga1−xAs/n-GaAs heterojunction Greenwald, Z.
1986
29 10 p. 1099-1106
8 p.
artikel
15 The effect of thermal and radiation defects on the recombination properties of the base region of diffused silicon p-n structures Kuchinskii, P.V.
1986
29 10 p. 1041-1051
11 p.
artikel
                             15 gevonden resultaten
 
 Koninklijke Bibliotheek - Nationale Bibliotheek van Nederland