Digitale Bibliotheek
Sluiten
Bladeren door artikelen uit een tijdschrift
Zoeken naar
Tijdschrift
Artikel
ISSN
NBN artikel
NBN tijdschrift
DARE/NARCIS document
met titel:
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
O
P
Q
R
S
T
U
V
W
X
Y
Z
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
10 gevonden resultaten
nr
titel
auteur
tijdschrift
jaar
jaarg.
afl.
pagina('s)
type
1
A 72% error reduction scheme based on temperature acceleration for long-term data storage applications: Cold flash and millennium memories
Yamazaki, Senju
2016
121
C
p. 25-33
9 p.
artikel
2
An improved model for current voltage characteristics of submicron SiC MESFETs
Riaz, Mohammad
2016
121
C
p. 54-61
8 p.
artikel
3
Comprehensive physics-based compact model for fast p-i-n diode using MATLAB and Simulink
Xue, Peng
2016
121
C
p. 1-11
11 p.
artikel
4
Editorial Board
2016
121
C
p. IFC-
1 p.
artikel
5
Efficient light output power for InGaP/GaAs heterojunction bipolar transistors incorporated with InGaAs quantum wells
Huang, Tzu-Hsuan
2016
121
C
p. 12-15
4 p.
artikel
6
Estimation of the average junction temperature of two phosphors-converted white LED array based on (B+Y+R)/B ratio
Ke, Hong-Liang
2016
121
C
p. 47-53
7 p.
artikel
7
Instability investigation of In0.7Ga0.3As quantum-well MOSFETs with Al2O3 and Al2O3/HfO2
Kwon, Hyuk-Min
2016
121
C
p. 16-19
4 p.
artikel
8
Measurement of brightness temperature of two-dimensional electron gas in channel of a high electron mobility transistor at ultralow dissipation power
Korolev, A.M.
2016
121
C
p. 20-24
5 p.
artikel
9
Minority carrier injection and current–voltage characteristics of Schottky diodes at high injection level
Mnatsakanov, Tigran T.
2016
121
C
p. 41-46
6 p.
artikel
10
On the turn-around phenomenon in n-MOS transistors under NBTI conditions
Benabdelmoumene, A.
2016
121
C
p. 34-40
7 p.
artikel
10 gevonden resultaten
Koninklijke Bibliotheek -
Nationale Bibliotheek van Nederland