|
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
14 gevonden resultaten
| nr | titel | auteur | tijdschrift | jaar | jaarg. | afl. | pagina('s) | type |
| 1 | Analysis of an InAs thin film transistor |
Kunig, H.E. |
1968 |
11 | 3 |
p. 335-342 8 p. |
artikel |
|
| 2 | An MOS-oriented investigation of effective mobility theory |
Pierret, R.F. |
1968 |
11 | 3 |
p. 279-290 12 p. |
artikel |
|
| 3 | Dependence of the characteristics of MOS-transistors on the substrate resistivity |
Das, M.B. |
1968 |
11 | 3 |
p. 305-322 18 p. |
artikel |
|
| 4 | Determination of a physical model for double diffused transistors |
Thomas, R.E. |
1968 |
11 | 3 |
p. 365-375 11 p. |
artikel |
|
| 5 | Diffused diodes in silicon-on-sapphire |
Dumin, D.J. |
1968 |
11 | 3 |
p. 353-363 11 p. |
artikel |
|
| 6 | Effects of deep impurities on n + p junction reverse-biased small-signal capacitance |
Schibli, E. |
1968 |
11 | 3 |
p. 323-334 12 p. |
artikel |
|
| 7 | Erratum |
1968 |
11 | 3 |
p. 383- 1 p. |
artikel |
||
| 8 | InSb p +-n junctions in forward bias |
Barber, H.D. |
1968 |
11 | 3 |
p. 343-352 10 p. |
artikel |
|
| 9 | Metal-silicon Schottky barriers |
Turner, M.J. |
1968 |
11 | 3 |
p. 291-300 10 p. |
artikel |
|
| 10 | Photocapacitive effects at silicon-collodion-gold contacts |
Lee, S. |
1968 |
11 | 3 |
p. 301-304 4 p. |
artikel |
|
| 11 | Radiation dosimetry by current glow in diamond |
Bose, D.N. |
1968 |
11 | 3 |
p. 273-278 6 p. |
artikel |
|
| 12 | The capacitance of deep diffused planar junctions |
Wilson, P.R. |
1968 |
11 | 3 |
p. 381-382 2 p. |
artikel |
|
| 13 | Thermal noise in space-charge-limited solid-state diodes |
Klaassen, F.M. |
1968 |
11 | 3 |
p. 377-378 2 p. |
artikel |
|
| 14 | The use of a double photoresist technique in high frequency transistor fabrication |
Thomas, G.R.M. |
1968 |
11 | 3 |
p. 378-381 4 p. |
artikel |
14 gevonden resultaten