|
| volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 1 van 9 gevonden artikelen
| Titel: |
Current Transient Study of RF GaN HEMTs Biased at Quiescent Point of VDS = 28 V and ID = 100 mA/mm under Different Temperatures |
| Auteur: |
Lin, Yen-Pin Zhong, Yi Nan Hsin, Yue-ming |
| Verschenen in: |
MRS advances |
| Paginering: | Jaargang 4 () nr. 9 pagina's 575-580 |
| Jaar: |
2019-03-06 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer International Publishing, Cham |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 1 van 9 gevonden artikelen
| volgende >> |