|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 2 van 9 gevonden artikelen
| Titel: |
Analysis of Deep Level and Oxide Interface Defects Using 100V HF Schottky Diodes and MOS CV for Silicon and 4H SiC HV MOSFETs, Advanced Power Electronics, and RF ASIC |
| Auteur: |
Pan, J. Afroz, S. Crain, N. Henning, W. Oliver, J. Knight, T. |
| Verschenen in: |
MRS advances |
| Paginering: | Jaargang 4 () nr. 44-45 pagina's 2377-2382 |
| Jaar: |
2019-09-16 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer International Publishing, Cham |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 2 van 9 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |