|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 206 van 272 gevonden artikelen
| Titel: |
Preparation of Aluminum Nitride Thin Films by CVD |
| Auteur: |
Guerrero, Reynaldo Martinez Garcia, J. Roberto Vargas |
| Verschenen in: |
Materials and manufacturing processes |
| Paginering: | Jaargang 15 (2000) nr. 2 pagina's 259-267 |
| Jaar: |
2000-03-01 |
| Inhoud: |
AlN films were prepared by CVD using aluminum halide (AlCl3) and aluminum alkyl ((CH3)3Al) precursors. The appropriate deposition conditions to obtain polycrystalline AlN films using A1C13 precursor were found at Tdep = 1173 K, Ptot = 66.6 Pa and N2/NH3 = 0.75. It was found that AlN films of different crystallinity can be obtained from (CH3)3Al precursor at Tde = 973-1023 K, Ptot = 1.99 kPa, only under a H2 atmosphere. AlN films can be grown highly oriented in the (210) direction on amorphous quartz substrates depending on their thicknesses. The 0.1 -0.2 μm thick AlN films were transparent and their refractive indexes were about 1.4-1.6. |
| Uitgever: |
Taylor & Francis |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 206 van 272 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |