|
| << vorige |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 6 van 6 gevonden artikelen
| Titel: |
New tri-state switch (TSS) using AlGaAs/GaAs/InGaAs double heterostructure |
| Auteur: |
Chure, M. C. Yarn, K. F. Wu, K. K. |
| Verschenen in: |
International journal of electronics |
| Paginering: | Jaargang 92 (2005) nr. 11 pagina's 631-634 |
| Jaar: |
2005-11 |
| Inhoud: |
A new AlGaAs/GaAs/InGaAs heteroconfinement tri-state switch (TSS) prepared by metal organic chemical vapor deposition has been fabricated and demonstrated. This TSS exhibits the interesting multiple negative differential resistance (MNDR) characteristics. The NDR behavior is caused by a p+n junction and sequential two-stage barrier-lowering and potential-redistribution effect that resulted from the electron confinement at AlGaAs/GaAs/InGaAs heterointerface and lnGaAs quantum well, respectively. |
| Uitgever: |
Taylor & Francis |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 6 van 6 gevonden artikelen
| << vorige |