|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 4 van 9 gevonden artikelen
| Titel: |
Characteristics of antifuses with planar double dielectrics on Si1-xGex pad for field-programmable gate array |
| Auteur: |
Kim, J. |
| Verschenen in: |
International journal of electronics |
| Paginering: | Jaargang 85 (1998) nr. 6 pagina's 713-722 |
| Jaar: |
1998-12-01 |
| Inhoud: |
A new antifuse device with a planar metal/dielectric/poly-Si1-xGex/dielectric/ metal structure has been proposed for use in FPGAs (field programmable gate arrays) as a voltage programmable link. The programming process is believed to proceed in four steps such as dielectric breakdown, double injection process, filament formation and filament enlargement. The maximum power of 38 mW is dissipated when a conductive filament is formed through the poly-Si1-xGex, and the velocity of filament formation is about 16 cm/s when 12.5 V is applied to the device. The device shows low leakage current (~ 0.01pA/antifuse) at the operating voltage of 5 V and low on-resistance (~ 13-15 Ω) at a 1ms-long 12.5 V pulse. |
| Uitgever: |
Taylor & Francis |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 4 van 9 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |