|
| << vorige |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 8 van 8 gevonden artikelen
| Titel: |
lonisation par Choc dans le Silicium. Saturation du Phenomene |
| Auteur: |
Zylbersztejn, A. |
| Verschenen in: |
International journal of electronics |
| Paginering: | Jaargang 8 (1960) nr. 2 pagina's 97-101 |
| Jaar: |
1960-02-01 |
| Inhoud: |
Nous avons etudie la conductivitye du silicium a la temperaturo de 20,75°K, en impulsions et a champ electrique suffisamment eleve pour realiser de l'ionisation par choc. Coranie il ne s'est pas revele possible d'utiliser des sondes de mesures, des experiences de contr⊙le ont ete faites pour juger de l'importance des erreurs qui pourraient en resulter. On a pu observer la saturation de l'ionisation par choc des impuretes. |
| Uitgever: |
Taylor & Francis |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 8 van 8 gevonden artikelen
| << vorige |