|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 2 van 8 gevonden artikelen
| Titel: |
Analysis of the Effects of Multiply-charged Impurities in Semiconductors by the Mass Action Law |
| Auteur: |
Saunders, N. H. |
| Verschenen in: |
International journal of electronics |
| Paginering: | Jaargang 8 (1960) nr. 2 pagina's 91-96 |
| Jaar: |
1960-02-01 |
| Inhoud: |
The mass action law is used to derive expressions for the equilibrium carrier concentration and net steady-state recombination rate in a semiconductor containing impurities capable of being multiplyionized. The results are in agreement with those found by other treatments and can easily be modified to apply to the degenerate case. |
| Uitgever: |
Taylor & Francis |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 2 van 8 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |