|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 15 van 18 gevonden artikelen
| Titel: |
Quasi-static model for the capacitances in short-channel MOSFETs |
| Auteur: |
Gharabagi, R. Nokali, M. El |
| Verschenen in: |
International journal of electronics |
| Paginering: | Jaargang 68 (1990) nr. 2 pagina's 181-193 |
| Jaar: |
1990-02-01 |
| Inhoud: |
A model that guarantees the conservation of charge in the simulation of MOS VLSI circuits is presented. The model is based on the ability to define four comoponents of charge for short-channel MOS transistors. The gate and bulk charges are found from a solution of a one-dimensional Poisson equation. The partitioning of the channel charge into source and drain charges is based on the solution of a one-dimensional current continuity equation. The model is used to predict the intrinsic capacitances of short-channel MOSFETs. |
| Uitgever: |
Taylor & Francis |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 15 van 18 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |