|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 4 van 14 gevonden artikelen
| Titel: |
A study of thermal-voltage memory effects in M-I-M structures with co-evaporated SiO/B2O3 as the insulator material |
| Auteur: |
Hogarth, C. A. Kompany, A. |
| Verschenen in: |
International journal of electronics |
| Paginering: | Jaargang 53 (1982) nr. 4 pagina's 301-309 |
| Jaar: |
1982-10-01 |
| Inhoud: |
Thin-film sandwich structures of Cu-SiO/B2O3-Cu with dielectric thicknesses of the order of 2000 A were prepared by vacuum evaporation, and circulating and emission currents were measured as functions of the applied voltage. A thermal-voltage memory effect was recorded and the relaxation of the high-impedance memory state was studied. The results are interpreted in terms of the filamentary growth theory. |
| Uitgever: |
Taylor & Francis |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 4 van 14 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |