Digitale Bibliotheek
Sluiten Bladeren door artikelen uit een tijdschrift
 
<< vorige    volgende >>
     Tijdschrift beschrijving
       Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
         Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
           Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
                                       Details van artikel 4 van 12 gevonden artikelen
 
 
  Chemical-bond model for gold surface states in gold-doped silicon/silicon dioxide structures
 
 
Titel: Chemical-bond model for gold surface states in gold-doped silicon/silicon dioxide structures
Auteur: Moghal, G. R.
Verschenen in: International journal of electronics
Paginering: Jaargang 53 (1982) nr. 3 pagina's 271-279
Jaar: 1982-09-01
Inhoud: A chemical-bond model for the formation of the gold surface states at the silicon/silicon dioxide interface is suggested. For analysis of the gold surface states at the interface, a three-layer model of a real surface is employed. Gold forms Au-Si, an intermetallic compound, when diffused into silicon from the back of the MOS device, and has negative charge character at the silicon/silicon dioxide interface. But when gold diffuses through the oxide, it acts as a positive ion embedded in the oxide and introduces positive charge at the silicon/silicon dioxide interface.
Uitgever: Taylor & Francis
Bronbestand: Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften
 
 

                             Details van artikel 4 van 12 gevonden artikelen
 
<< vorige    volgende >>
 
 Koninklijke Bibliotheek - Nationale Bibliotheek van Nederland