|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 5 van 41 gevonden artikelen
| Titel: |
CONTROLLABLE CHARGE DENSITY IN THE Si NANOCRYSTALS NONVOLATILE MEMORY |
| Auteur: |
Shen, J. Lu, T. Z. Alexe, M. Kidun, O. Zacharias, M. |
| Verschenen in: |
Integrated ferroelectrics |
| Paginering: | Jaargang 78 (2006) nr. 1 pagina's 271-279 |
| Jaar: |
2006-11-01 |
| Inhoud: |
A single layer silicon nanocrystal (Si-NC) based metal-oxide-semiconductor structure was fabricated. The size-controlled 4 nm Si-NCs was realized by using a SiO2/SiO/SiO2layer structure and a high temperature annealing. Current-voltage, capacitance-voltage and conductance-voltage characterization were performed. Electron trapping, storing, and de-trapping in Si-NCs were observed, and an effective barrier height of 1.6 eV is estimated. The charge density was measured to be 1.6× 1012/cm2 which is nearly identical to the Si-NC density measured via TEM. The tunneling behavior of the carrier via Si NCs is also explained. |
| Uitgever: |
Taylor & Francis |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 5 van 41 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |