|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 3 van 38 gevonden artikelen
| Titel: |
A Novel Ferroelectric FET Based Memory Cell of Minimum Size and Non-Destructive Reading |
| Auteur: |
Chu, D. P. |
| Verschenen in: |
Integrated ferroelectrics |
| Paginering: | Jaargang 61 (2004) nr. 1 pagina's 71-76 |
| Jaar: |
2004 |
| Inhoud: |
We propose a single device, which can perform the function of a ferroelectric inverter and be used as a basic cell of ferroelectric random access memory (FRAM) with non-destructive read out (NDRO). This device has a minimized geometry suitable for high density integration. The write voltage required is the same lowest possible level for “0” and “1” states. Consequently, such a device as a FRAM cell can be operated at low voltages for both READ and WRITE operations with minimum power consumption. A preliminary testing device was fabricated using conventional dielectrics in place of ferroelectrics, and it worked as expected. |
| Uitgever: |
Taylor & Francis |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 3 van 38 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |