|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 12 van 38 gevonden artikelen
| Titel: |
Fabrication and Properties of Silicon-Based PLZT Thin Films for MFSFET Applications |
| Auteur: |
Shao, Tian-Qi Ren, Tian-Ling Liu, Li-Tian Zhu, Jun Li, Zhi-Jian |
| Verschenen in: |
Integrated ferroelectrics |
| Paginering: | Jaargang 61 (2004) nr. 1 pagina's 189-195 |
| Jaar: |
2004 |
| Inhoud: |
Fabrication and properties of lanthanum-modified lead zirconate titanate (PLZT) thin films have been studied for Metal-Ferroelectric-Semiconductor FET (MFSFET) devices. PLZT based MFS capacitors using lead titanate (PT) as seeding layers have been respectively prepared on p-type 〈111〉 and n-type 〈100〉 silicon wafers directly by a sol-gel method. PLZT films are final annealed at 650°C for 1 min in oxygen ambient using rapid thermal annealing (RTA). The measured memory windows of the MFS capacitors based on p-type silicon wafer are about 2.0 V and 4.2 V under the polarization voltages of ±5 V and ±10 V, and the measured memory windows of the MFS capacitors based on n-type Silicon wafer are about 0.3 V and 1.5 V under the polarization voltages of ±5 V and ±10 V correspondingly. The MFS structures based on p-type silicon wafer can be valuable for MFSFET applications. |
| Uitgever: |
Taylor & Francis |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 12 van 38 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |