|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 26 van 31 gevonden artikelen
| Titel: |
Process stability of ferroelectric PLZT thin film sputtering for FRAM® production |
| Auteur: |
Suu, K. Tani, N. Chu, F. Hickert, G. Hadnagy, T. D. Davenport, T. |
| Verschenen in: |
Integrated ferroelectrics |
| Paginering: | Jaargang 26 (1999) nr. 1-4 pagina's 9-19 |
| Jaar: |
1999-10-01 |
| Inhoud: |
(PbLa)(Zr,Ti)O3 (PLZT) thin films were fabricated by RF magnetron sputtering. Aiming at process development for FRAM® production, PLZT films were deposited on 6-inch substrates using a 12-inch ceramic target. High deposition rate was realized at relatively low sputtering power by utilizing a high-density PLZT target. Precise compositional control was achieved by controlling sputtering condition. A non-stop 1000-wafer deposition was performed showing high process stability in terms of both deposition rate and ferroelectric properties. |
| Uitgever: |
Taylor & Francis |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 26 van 31 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |