|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 4 van 9 gevonden artikelen
| Titel: |
Design of a Resonant-Cavity-Enhanced p-i-n GaN/AlxGa1-xN Photodetector |
| Auteur: |
Li, T. Carrano, J. C. Eiting, C. J. Grudowski, P. A. Lambert, D. J. H. Kwon, H. K. Dupuis, R. D. Campbell, J. C. Tober, R. T. |
| Verschenen in: |
Fiber & integrated optics |
| Paginering: | Jaargang 20 (2001) nr. 2 pagina's 125-131 |
| Jaar: |
2001-03-01 |
| Inhoud: |
A resonant-cavity-enhanced p-i-n photodetector has been designed and analyzed to operate at a wavelength of 360 nm based on the AlxGa1-xN material system. The novel approach has been adopted of using epitaxial AlN/AlxGa1-xN quarter-wave stacks as the distributed Bragg reflector that serves as the front mirror. An AlxGa1-xN absorptive filter layer is incorporated to suppress all but one resonant mode to ensure single, narrow-band operation. This device structure is projected to achieve wavelength selective, high speed, and high quantum efficiency operation in the ultraviolet. MOCVD-grown 6 1/2-pair AlN/AlxGa1-x |
| Uitgever: |
Taylor & Francis |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 4 van 9 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |