|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 22 van 46 gevonden artikelen
| Titel: |
Formation of (Bi,La) 4 Ti 3 O 12 Films on Si(100) Substrates Using LaAlO 3 Buffer Layers |
| Auteur: |
Park, Byung-Eun Ishiwara, Hiroshi |
| Verschenen in: |
Ferroelectrics |
| Paginering: | Jaargang 293 (2003) nr. 1 pagina's 145-152 |
| Jaar: |
2003-06-01 |
| Inhoud: |
We formed MFIS (metal-ferroelectric-insulator-semiconductor) diodes by depositing Bi 3.35 La 0.75 Ti 3 O 12 (BLT) ferroelectric films and lanthanum aluminate (LaAlO 3 ) buffer layers on Si(100) substrates. LaAlO 3 films were prepared by an MBD (molecular beam deposition) method, and they were subjected to ex situ N 2 annealing in a rapid thermal annealing (RTA) furnace at 800°C for 1 min. On the optimized LaAlO 3 /Si structure, a Bi 3.35 La 0.75 Ti 3 O 12 film with 220-nm-thickness was deposited by a sol-gel technique. The memory window width in C-V (capacitance-voltage) curve of the Pt/BLT/LaAlO 3 /Si diode was about 4.0 V for a voltage sweep of ±10 V. It was also found that the retention time of this diode was longer than 8 hours. |
| Uitgever: |
Taylor & Francis |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 22 van 46 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |