|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 22 van 26 gevonden artikelen
| Titel: |
Study of radiation damage induced by 12 keV X-rays in MOS structures built on high-resistivity n-type silicon |
| Auteur: |
Zhang, Jiaguo Pintilie, Ioana Fretwurst, Eckhart Klanner, Robert Perrey, Hanno Schwandt, Joern |
| Verschenen in: |
Journal of synchrotron radiation |
| Paginering: | Jaargang 19 (2012) nr. 3 pagina's 340-346 |
| Jaar: |
2012-05-01 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
International Union of Crystallography, 5 Abbey Square, Chester, Cheshire CH1 2HU, England |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 22 van 26 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |