|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 20 van 28 gevonden artikelen
| Titel: |
Quantitative analysis of dislocations in 4H-SiC wafers using synchrotron X-ray topography with ultra-high angular resolution |
| Auteur: |
Peng, Hongyu Chen, Zeyu Liu, Yafei Raghothamachar, Balaji Huang, Xianrong Assoufid, Lahsen Dudley, Michael |
| Verschenen in: |
Journal of applied crystallography |
| Paginering: | Jaargang 55 () nr. 3 pagina's 544-550 |
| Jaar: |
2022-06-01 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
International Union of Crystallography, 5 Abbey Square, Chester, Cheshire CH1 2HU, England |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 20 van 28 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |