|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 16 van 26 gevonden artikelen
| Titel: |
Non-edge-triggered inversion from Ga polarity to N polarity of c-GaN domains on an SiO2 mask during epitaxial lateral overgrowth |
| Auteur: |
Lee, Hyunkyu Jang, Dongsoo Kim, Donghoi Kim, Chinkyo |
| Verschenen in: |
Journal of applied crystallography |
| Paginering: | Jaargang 52 (2019) nr. 3 pagina's 532-537 |
| Jaar: |
2019-06-01 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
International Union of Crystallography, 5 Abbey Square, Chester, Cheshire CH1 2HU, England |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 16 van 26 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |