|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 15 van 29 gevonden artikelen
| Titel: |
Inversion domain boundary structure of laterally overgrown c-GaN domains including the inversion from Ga to N polarity at a mask pattern boundary |
| Auteur: |
Kim, Hwa Seob Lee, Hyunkyu Jang, Dongsoo Kim, Donghoi Kim, Chinkyo |
| Verschenen in: |
Journal of applied crystallography |
| Paginering: | Jaargang 51 (2018) nr. 6 pagina's 1551-1555 |
| Jaar: |
2018-02-01 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
International Union of Crystallography, 5 Abbey Square, Chester, Cheshire CH1 2HU, England |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 15 van 29 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |