|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 4 van 19 gevonden artikelen
| Titel: |
Analysis of thermal-treatment-induced dislocation bundles in GaAs wafers by means of X-ray transmission topography and complementary methods |
| Auteur: |
Möck, P. |
| Verschenen in: |
Journal of applied crystallography |
| Paginering: | Jaargang 34 (2001) nr. 1 pagina's 65-75 |
| Jaar: |
2001-02-01 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
International Union of Crystallography, 5 Abbey Square, Chester, Cheshire CH1 2HU, England |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 4 van 19 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |