|
| volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 1 van 23 gevonden artikelen
| Titel: |
A high-resolution diffuse X-ray scattering study of defects in dislocation-free silicon crystals grown by the float-zone method and comparison with Czochralski-grown crystals |
| Auteur: |
Lal, K. Bhagavannarayana, G. |
| Verschenen in: |
Journal of applied crystallography |
| Paginering: | Jaargang 22 (1989) nr. 3 pagina's 209-215 |
| Jaar: |
1989-06-01 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
International Union of Crystallography, 5 Abbey Square, Chester, Cheshire CH1 2HU, England |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 1 van 23 gevonden artikelen
| volgende >> |