|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 13 van 17 gevonden artikelen
| Titel: |
The analysis of epitaxic growth layers of silicon carbide by X-ray diffraction topography |
| Auteur: |
Isherwood, B. J. Wallace, C. A. |
| Verschenen in: |
Journal of applied crystallography |
| Paginering: | Jaargang 1 (1968) nr. 3 pagina's 145-153 |
| Jaar: |
1968-09-02 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
International Union of Crystallography, 5 Abbey Square, Chester, Cheshire CH1 2HU, England |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 13 van 17 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |